英特爾公司（INTC）股票：18A-P 風險生產提振晶圓代工路線圖

TLDR

• Intel上漲3.05%，18A-P於VLSI進入風險量產。
• Intel晶圓代工確認18A-P路線圖進展，INTC股價上漲。
• Intel 18A-P帶來功耗、效能與設計靈活性的提升。
• Intel概述跨CFET、GaN與釕金屬的晶片微縮工作。
• Intel晶圓代工更新在波動交易後支撐INTC股價。

Intel Corporation（INTC）股價上漲至120.61，增加了3.05%，在震盪走勢結束後強勁回升。股價早盤下跌，隨後收復失地，收盤接近盤中高點。此波上漲跟隨Intel晶圓代工在2026年VLSI研討會上的最新更新。

Intel Corporation, INTC

Intel 18A-P進入風險量產

Intel晶圓代工表示，Intel 18A-P已進入風險量產，符合去年與客戶共享的時間表。此次更新標誌著Intel 18A製程家族中首項效能強化。這也強化了Intel在長期晶圓代工執行力方面的信心。

公司將Intel 18A-P定位為Intel 18A的設計相容升級版。由於具備相容性，客戶可重複使用現有智慧財產權與設計流程。此方法可降低晶片設計者在邁向強化製程時的轉換阻力。

Intel表示，18A-P在相同功耗下效能提升了9%。在相同效能水準下，功耗降低了18%。同時，該製程增加了更好的散熱特性與更廣泛的設計選項。

製程更新支撐效能與功耗提升

Intel為Intel 18A-P推出了Power Boost，這是一種雙接觸電晶體選項。該功能降低了電阻、增加了驅動電流，並在匹配電容條件下支援更高頻率。因此，設計者獲得了另一條提升晶片效能的途徑。

公司亦報告熱阻改善了20%至40%。Intel指出，透過材料與幾何形狀的變化，導通孔電阻改善了10%至30%。這些更新針對晶片各層的熱流、電源傳遞與訊號傳輸。

Intel亦新增了低功耗與高效能電晶體選項。其中包含一個位於ULVT與LVT之間的第五邏輯電壓閾值對。因此，設計者在平衡速度、功耗與效率時獲得更大的靈活性。

VLSI報告增添長期背景脈絡

Intel利用VLSI活動將18A-P與Intel 18A的早期工作相連結。公司去年將環繞閘極電晶體與背面供電技術推向市場。這些技術現在支撐其下一步的製程改進與未來微縮計畫。

Intel展示的研究顯示，繞線面積降低了11%，動態電壓驟降降低了10倍。公司表示，這些提升可支援最高6%的頻率提升。與同類正面技術相比，亦可實現超過15%的動態功耗降低。

Intel亦展示了跨CFET、GaN整合與釕金屬互連的長期研究。其CFET工作以45奈米閘極間距堆疊了NMOS與PMOS元件。同時，GaN與釕金屬研究針對電源管理、互連微縮與未來晶片效率。

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