三星營業利益暴增 18 倍！贏過輝達、蘋果，財報公布後股價卻重挫逾 6%

三星電子公布 2026 年第二季財報預估，營收約 171 兆韓元（約 1,120 億美元），營業利益約 89.4 兆韓元，年增約 1,810%，季增約 56%，主因去年同期基期偏低加上記憶體超級循環發威，財報公布後股價卻一度重挫逾 6%，由動區動趨整理報導。
（前情提要：三星 AI 記憶體狂飆：上半年獲利近 910 億美元，半導體員工獲 100% 績效獎金）
（背景補充：三星強漲記憶體 20%！瑞銀上修報價：DRAM Q3 季增 32%、NAND 漲 30%！）

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記憶體超級循環把獲利吹起來
晶圓代工三年來首次轉盈
財報亮眼，股價卻小挫

重點摘要

三星 Q2 營業利益約 89.4 兆韓元，年增約 1,810%（去年同期基期僅 4.7 兆韓元），季增約 56%
記憶體超級循環發威：DRAM 均價季增約 44%、NAND 季增約 53%，AI 伺服器與 HBM 需求全面拉貨
財報公布後三星股價卻一度重挫逾 6%，市場憂記憶體循環觸頂與獎金侵蝕獲利

三星電子公布 2026 年第二季財報預估，營業利益約 89.4 兆韓元，年增暴衝約 1,810%，等於去年同期的近 19 倍。營收同步衝上約 171 兆韓元（約 1,120 億美元），季增也有 56%。數字看似誇張，但拆開來看，去年同期正是記憶體史上最慘的低谷之一，營業利益僅約 4.7 兆韓元，基期低到幾乎貼地，才讓今年的年增率被墊高到約 19 倍。財報確實亮眼，但先看懂分母，才不會被倍數唬住。

記憶體超級循環把獲利吹起來

拉抬獲利的主引擎，是記憶體價格的全面噴出。第二季 DRAM（動態隨機存取記憶體，個人電腦與伺服器最常用的短期記憶晶片）均價季增約 44%，NAND（快閃記憶體，用於儲存資料的長期記憶晶片）均價季增約 53%。

AI 伺服器與資料中心對伺服器用 DRAM 與 HBM（高頻寬記憶體，AI 晶片旁邊負責高速餵資料的堆疊式記憶體）的需求持續狂拉，連帶讓供給吃緊的傳統 DRAM、NAND 也跟著漲，三星幾乎每一個記憶體區塊都吃到這波紅利。HBM 戰場上，三星用 4nm 製程的 HBM4 基礎晶片（base die）良率持續改善，正一步步追趕目前市佔龍頭 SK 海力士。

晶圓代工三年來首次轉盈

比記憶體更值得留意的訊號，藏在晶圓代工（foundry，替其他公司代工生產晶片的業務）。三星晶圓代工部門在 2026 年 6 月單月轉虧為盈，是 2023 年以來第一個獲利的月份。這塊業務長年是三星的痛點，先進製程良率追趕台積電追得辛苦，如今單月由虧轉盈，代表訂單與良率同時出現改善跡象。

三星把 2026 全年營業利益展望上修到約 300 兆韓元（約 2,000 億美元），據估計將超過三星半導體事業過去 40 年的累計獲利總和。若這個數字成真，等於三星半導體用一年時間，賺回過去四十年才累積出的家底。據報導，三星單季營業利益甚至超越輝達與蘋果，成為單季獲利最高的科技公司，但這項比較仍待財報正式公布後確認。

財報亮眼，股價卻小挫

照理說，這種等級的財報應該噴出慶祝行情，結果三星股價在財報公布後一度重挫逾 6%。

市場的解讀有幾種，一是典型的利多出盡（sell the news），財報再好，也可能是這波記憶體循環的階段性頂點，股價早已提前反映；二是外界開始擔心記憶體超級循環是否已經觸頂，接下來是漲價放緩還是直接反轉，沒人敢打包票；三是半導體員工績效獎金這類變數，會侵蝕帳面獲利的含金量；四是三星的股東回報方案不如市場預期，讓資金選擇先落袋為安。

市場現在賭的不是三星賺了多少，是這波記憶體循環還能撐多久。